MOS管-美國(guó)萬(wàn)代AOS產(chǎn)品全系列

pmos是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的mos管。全稱(chēng) ： positive channel metal oxide semiconductor；別名 ： positive mos。
基本信息：
pmos是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的mos管全稱(chēng) ： positive channel metal oxide semiconductor別名 ： positive mos金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(mos)晶體管可分為n溝道與p溝道兩大類(lèi)， p溝道硅mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管在n型硅襯底上有兩個(gè)p+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí)，柵極下的n型硅表面呈現(xiàn)p型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為p溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果n型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖趐型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為p溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱(chēng)為pmos晶體管。