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該電爐所用的燒成方法俗稱(chēng):埋粉燒成。它一通電即為加熱開(kāi)始,爐心體溫度約2500℃,甚至更高(2600~2700℃),爐料達(dá)到1450℃時(shí)開(kāi)始合成sic(但sic主要是在≥1800℃時(shí)形成),且放出co。然而,≥2600℃時(shí)sic會(huì)分解,但分解出的si又會(huì)與爐料中的c生成sic。每組電爐配備一組變壓器,但生產(chǎn)時(shí)只對(duì)單一電爐供電,以便根據(jù)電負(fù)荷特性調(diào)節(jié)電壓來(lái)基本上保持恒功率,阿爾法碳化硅好不好,大功率電爐要加熱約24 h,停電后生成sic的反應(yīng)基本結(jié)束,再經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的冷卻就可以拆除側(cè)墻,然后逐步取出爐料。
1955年 理論和技術(shù)上重大突破,lely提出生長(zhǎng)碳化概念,從此將sic作為重要的電子材料。1958年 在波士頓召開(kāi)次世界碳化硅會(huì)議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。1978年 六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年采用“l(fā)ely改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長(zhǎng)方法。1987年~至今以cree的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線,阿爾法碳化硅的價(jià)格,供應(yīng)商開(kāi)始提供商品化的碳化硅基。
結(jié)晶體較小、很脆弱,不能作為磨料)、*品sic((sic含量lt;96%,江西阿爾法碳化硅,而且是六方sic即口一sic的粗大結(jié)晶體)、爐芯體石墨。在上述各層料中,通常將未反應(yīng)料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集,將氧碳化硅層的另一部分料與無(wú)定形物、二級(jí)品、部分粘結(jié)物一起收集為回爐料,而一些粘結(jié)很緊、塊度大、雜質(zhì)多的粘結(jié)物則拋棄之。而*品則經(jīng)過(guò)分級(jí)、粗碎、細(xì)碎、化學(xué)處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的sic顆粒。要制成碳化硅微粉還要經(jīng)過(guò)水選過(guò)程;要做成碳化硅制品還要經(jīng)過(guò)成型與結(jié)燒的過(guò)程。
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