振鑫焱光伏科技(圖)-光伏組件行情報價-張掖光伏組件
電池片各工序影響因素及異常情況
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電池片各工藝流程危害要素及異常現象
一回清理危害要素
1.溫度
溫度過高,先就是說ipa不太好操縱,溫度一高,ipa的蒸發迅速,汽泡印就會隨著出現,實驗光伏組件回收,那樣就大大減少了pn結的合理總面積,反映加重,還會出現影片的*浮,導致殘片率的提升。可控性水平:調整設備的設定,能夠非常好的調整溫度。
2.時間金字塔式隨時間的轉變:金字塔式慢慢冒出;表層上基礎被小金字塔式遮蓋,少數剛開始成才;金字塔式滿布的絨面早已產生,僅僅尺寸不勻稱,透射率也降至較為低的狀況;金字塔式向外擴大企業兼并,容積慢慢澎漲,規格趨向平等,透射率略微降低。可控性水平:調整機器設備主要參數,能夠*的調整時間。
3.ipa1.幫助氡氣的釋放出來。2.變弱naoh水溶液對硅片的浸蝕幅度,調整各向系數。純naoh水溶液在高溫下對分子排序較為稀少的100晶面和較為高密度的111晶面毀壞較為大,光伏組件行情報價,每個晶面被浸蝕而消溶,ipa顯著變弱naoh的浸蝕*壓強度,提升了浸蝕的各向異性,有益于金字塔式的成型。酒精含水量過高,堿水溶液對硅水溶液浸蝕工作能力越來越太弱,各向異性系數又趨向3。可控性水平:依據初次配液的含水量,及每一次大概耗費的量,來填補足量的液體,線性度不高。
電池片絲網印刷技術
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:*回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,報廢光伏組件回收多少錢,降級,庫存,el,不良測試,二手,舊工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,*償還,返工,光伏模塊回收等。
電池片絲網印刷技術
1 引言
隨著全球能源的日趨緊張,太陽能以*、市場空間大等*的優勢受到*的廣泛重視,國際上眾多大公司投入太陽能電池研發和生產行業。從太陽能獲得電力,需通過太陽能電池進行光電變換來實現,硅太陽能電池是一種有效地吸收太陽能輻射并使之轉化為電能的半導體電子器件,廣泛應用于各種照明及發電系統中。
2 硅太陽能電池的生產工序
太陽能電池原理主要是以半導體材料硅為基體,利用擴散工藝在硅晶體中摻入雜質:當摻入硼、磷等雜質時,硅晶體中就會存在著一個空穴,形成 n 型半導體;同樣,摻入磷原子以后,硅晶體中就會有一個電子,形成 p 型半導體, p 型半導體與 n 型半導體結合在一起形成 pn 結,當太陽光照射硅晶體后, pn 結中 n 型半導體的空穴往 p 型區移動,而 p 型區中的電子往 n 型區移動,從而形成從 n 型區到 p 型區的電流,在 pn 結中形成電勢差,這就形成了電源。
硅太陽能電池生產的主要工序,從中可以看出絲網印刷是生產太陽能電池的重要工序,其印刷質量(厚度,寬度,膜厚一致性)影響電池片的技術指標。
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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,減少反射,氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。
其化學反應可以簡單寫成 : sih 4 nh 3 =sin:h 3h 2 。
基本 原理
pecvd 技術原理是利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰*上,利用輝光放電(或另加發熱體)使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體經一系列化學反應和等離子體反應,在樣品表面形成固態薄膜。 pecvd 方法區別于其它 cvd 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子,它們可以提供化學氣相沉積過程所需的*能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程,生成活性很高的各種化學基團,因而顯著降低 cvd 薄膜沉積的溫度范圍,使得原來需要在高溫下才能進行的 cvd 過程得以在低溫下實現。
基本特征
1. 薄膜沉積工藝的低溫化( lt; 450 ℃ )。
2. 節省能源,降低成本。
3. 提高產能。
4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。
擴散方式
pe 設備有兩類:平板式和管式。
按反應方式分為:直接式(島津)和間接式( roth & rau )。
直接式:基片位于一個電*上,直接接觸等離子體。
間接式:基片不接觸激發電*。 在微波激發等離子的設備里,等離子產生在反應腔之外,然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發 nh3 ,而 sih4 直接進入反應腔。間接 pecvd 的沉積速率比直接的要高很多,這對大規模生產尤其重要。
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