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肖特基二極管和齊納管型號特性

肖特基二極管是半導體器件,以其發明人博士(1886年7月23日—1976年3月4日)命名的,sbd是肖特基勢壘二極管(schottkybarrierdiode,縮寫成sbd)的簡稱。
sbd不是利用p型半導體與n型半導體接觸形成pn結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此,sbd也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管是問世的低功耗、大電流、速半導體器件。其反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向導通壓降僅0.4v左右,而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優良特性是快恢復二極管的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。

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