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em88f715n 是采用低功耗高速cmos工藝設計開發的8位微控制器,使用仿真器內核仿真并可模擬4k*16位的可編程 rom。此規格書用于16位仿真器內核的模擬。 2 特性  cpu 配置  支援4k16位可編程rom  (48+256)字節通用目的寄存器  16級堆棧用于子程序嵌套  在5v/4mhz 條件下耗電流低于ma  在3v/16khz 條件下耗電流典型值為 a  在3v/32khz 條件下耗電流典型值為 a  休眠模式期間耗電流典型值為 a  4個可編程電平電壓復位 lvr: 2.3v/ 2.5v, 3.3v/ 3.5v, 3.8v/ 4.0v  16個可編程電平電壓偵測器 hlvd : 2.2v, 2.3v, 2.4v, 2.5v, 2.6v,2.8v,2.9v, 3.1v, 3.3v,3.5v, 3.7v, 3.9v, 4.1v, 4.3v, 4.5v, 4.7v  4種cpu工作模式(正常、低速、空閑、休眠)  i/o 端口結構  4組雙向i/o端口: p5, p6, p7, p8  4組可編程引腳改變喚醒端口: p5, p6, p7, p8  4組可編程下拉i/o端口: p5, p6, p7, p8  4組可編程上拉i/o端口: p5, p6, p7, p8  4組可編程漏極開路i/o端口: p5, p6, p7, p8  4組可編程高灌/驅動i/o端口: p5, p6, p7, p8  8個外部中斷引腳  工作頻率范圍:  2.2v~5.5v在-40c~85c (工規)  工作頻率范圍(基于 2 個時鐘) 主振蕩器:  晶振模式: dc~20 mhz@4v; dc~16 mhz@3v; dc~8 mhz@2.2v

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