如何制作標(biāo)準(zhǔn)的ICT測(cè)試程序

注意事項(xiàng):
一.一般情況下不允許修改r 的標(biāo)準(zhǔn)值（電阻并聯(lián)電阻除外）
二.修改程式的上下范圍必須按以下的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行 .
ü跳線﹑ connecter ﹑fuse﹑電感﹑排感 ﹕
以j測(cè)試﹐ exp-v用1表示﹐+-10% ﹐mode為 0 ﹐無(wú)guarding ， 無(wú) offset 。
跳線﹕ 當(dāng)pin-pin間有跳帽時(shí)﹐exp-v用1表示﹐否則pin-pin間測(cè)試exp-v采用4表示。
開關(guān)探針﹕ 以j測(cè)試﹐ exp-v用1表示+-10% ﹐mode為 0
ü電阻﹑排阻 ﹕
1﹑0 ω ﹕按3 ω 為標(biāo)準(zhǔn)﹐+10%﹐-1%﹔或按j測(cè)試﹐mode為1﹐無(wú)offset﹐+-10%
2﹑2.2 ω :+60%﹐-30%﹐一般不采用mode3﹐無(wú)guarding
3﹑4.7 ω :+40%﹐-20%﹐一般不采用mode3 , 無(wú)guarding
4﹑10.0 ω ﹕+15%﹐-10%﹐一般不采用mode3﹐可根據(jù)各機(jī)臺(tái)稍加offset
5﹑10. 0ω 以上﹕+-10%﹐一般不采用mode3 ﹐不加 offset
6﹑熱敏電阻﹕可適當(dāng)放寬范圍 , 一般不采用mode3﹔
7﹑電阻并聯(lián)﹐可按并聯(lián)值(r 1 *r 2 )/(r 1 +r 2 )作標(biāo)準(zhǔn)值﹔+-10%一般不采用mode3
8﹑nc元件﹕一般50kω為標(biāo)準(zhǔn)值﹐+lim:-1% ﹐-lim﹕10% ﹐有并聯(lián)除外
9﹑并聯(lián) ic 時(shí)﹐100k以上電阻+lim﹕+10%﹔-lim﹕可稍放寬
10﹑ nopin的電阻可適當(dāng)考慮用串聯(lián)的方式進(jìn)行測(cè)試﹐ 小電阻并聯(lián)大電阻相差20倍時(shí)﹐大電阻不予測(cè)試﹔
11﹑蜂鳴器﹕做電阻測(cè)試﹐exp-v采用44ohm （據(jù)實(shí)際情況） ﹐+-10%﹐無(wú) guarding ﹐ 一般不采用mode3
12﹑fet管作電阻測(cè)試﹕mode 一定 為5﹐+20%﹐ -10% ﹔也可直接選用type:qf,mode:22或23
13﹑對(duì)測(cè)試極不穩(wěn)定的電阻﹐可按pca上實(shí)際電阻量測(cè)值作為exp-v或根據(jù)線路圖分析﹔
14﹑bom-v一律根據(jù)bom進(jìn)行填寫。
15﹑可調(diào)電阻﹐以較大值測(cè)試﹐+-10% ；或取中間值測(cè)試，+-50%。
ü電容、排容﹕
1.10pf或10pf以下電容﹐測(cè)試會(huì)極不穩(wěn)定﹐exp-v可加大到30pf或50pf﹐+50%,-40%,也可依實(shí)際情況定exp-v﹐offset定好后不允許隨意更改﹔ 具體依debug原則﹔
2.10pf以上﹐1nf以下﹐+45%,-35%,offset定好后不允許隨意更改﹔mode參見debug原則﹔
3.exp-v﹕1nf~99nf﹐+45%,-35%,mode參見debug原則﹔
4.exp-v﹕100nf﹕+70%,-30%﹐ 無(wú)offset ,mode參見debug原則﹔
5.exp-v﹕1uf﹕+40%,-30%﹐ 無(wú)offset ,mode參見debug原則﹔
6.exp-v﹕10uf以上﹐470uf以下﹐+-30%﹐mode參見debug原則﹔
7.exp-v﹕470uf以上﹐+-20%﹐
8.并聯(lián)電容exp-v=c 1 +c 2 + …… +c n ﹐
9.nc元件﹕可以不進(jìn)行測(cè)試﹔
10.fet管作電容測(cè)試﹕exp-v約2~10nf﹐+20%﹐-15%﹐exp-v定下后不能隨意更改﹔
11.bom-v一律根據(jù)bom進(jìn)行填寫﹔nc元件bom-v為0u﹔
12.小電容并大電容﹐相差20倍以上﹐小電容可以不予測(cè)試 (c 1 /(c 1 +c 2 +…c n ))<=5%) 。
13.微法級(jí)電容的電容值小於 1000uf ， mode4的測(cè)試會(huì)比 mode8 來(lái)得好且速度也較快;
14.較大微法級(jí)電容值測(cè)試不穩(wěn)時(shí)﹐可以加放電﹔
15.當(dāng)規(guī)定的limit 與 bom上規(guī)定的 小時(shí) ﹐一律依據(jù)bom作為標(biāo)準(zhǔn)。
16.電容極性測(cè)試：必加三端測(cè)試針，mode8、18。exp-v：0.2v,g以*三腳為g。
17.實(shí)際值以 5v ～ 10v 量測(cè)時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)值之漏電流值約 0.2ma ～ 0.5ma ，若反插時(shí) , 其反向漏電流值會(huì)遠(yuǎn)大於正向漏電流值。高點(diǎn)之腳號(hào)即是電容＋端之測(cè)試針號(hào)碼 , 而低點(diǎn)之腳號(hào)即是電容－端之測(cè)試針號(hào)碼，通常須加較大的延遲時(shí)間，漏電流才會(huì)穩(wěn)定。
ü電感﹕ 除了作j測(cè)試外﹐電感主要以l測(cè)試﹐+-30%
ü二極體﹕
1.發(fā)光二極管用d作type﹐mode用1或 24﹐當(dāng)用24mode時(shí)﹐exp-v為1. 5v 不允許交換高低點(diǎn)﹐ 偏差 +-30% （把管子點(diǎn)亮）
2.每個(gè)二極管分作兩步測(cè)試﹕高﹑低點(diǎn)互調(diào)測(cè)試﹐不允許交換高低點(diǎn)和修改exp-v, 范圍依(1)規(guī)定。
ü三極管﹕
1.以 q 測(cè)試﹕+-30% ﹐ 具體參考 debug原則 ﹐ 不允許交換高低點(diǎn)
2.以qh為type的三端測(cè)試﹐+-30%﹐ 具體參考 debug原則﹐ 不允許交換高低點(diǎn)
3.以上3種方法測(cè)試必須同時(shí)使用﹔選用mode時(shí)必須參考其實(shí)際為pnp還是npn
4.nc時(shí)﹐采用type:qn測(cè)試﹐ bom-v﹕0.7v﹐ exp-v為0.7v左右﹐+-30 %
üfet管﹕
1.以qf為type﹐量測(cè)漏電流 ids ﹐ bom-v依線路圖提供的電壓供給﹐ +-30%﹐不允許交換高低點(diǎn)﹐其guardingpin為g。
2.以qf為type﹐量測(cè)漏電流 vds ﹐ bom-v依線路圖提供的電壓供給﹐+30%﹐-1%﹐exp-v:0.2v, 不允許交換高低點(diǎn) ﹐ 其guardingpin為g 。
3.還 必須同時(shí)采用電阻 或 電容測(cè)試﹔不允許交換高低點(diǎn)
üclampingdiode
1.對(duì)gnd量測(cè)﹐+-30%﹐mode為2﹐ guarding pin以它本身學(xué)到的為準(zhǔn)﹐ 不允許交換高低點(diǎn)﹔
2.對(duì)vcc量測(cè)﹐+-30%﹐mode為2﹐ guarding pin以它本身學(xué)到的為準(zhǔn)﹐ 不允許交換高低點(diǎn)﹔
3.測(cè)試不穩(wěn)定時(shí)﹐可加放電或4ms以內(nèi)的延遲或重測(cè)。
4.當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)樣板測(cè)試值小于0.1v時(shí)﹐可以0.1v為exp-v﹐+30%,-1%﹔
5.對(duì)于較脆弱的clampingdiode,可根據(jù)實(shí)際情況決定其是否測(cè)試
6.如有幾種料導(dǎo)致無(wú)法測(cè)試時(shí)﹐可舍測(cè)其中一種。
üicopen﹕ 學(xué)習(xí)好的icopen接受值﹐其limit為+80%﹐-40%﹐之中不能加放電﹐單片測(cè)試值如與整體統(tǒng)計(jì)值偏差較大時(shí)﹐應(yīng)找其他原因﹐不能改動(dòng)設(shè)定值。
ü其他﹕ a: 78l05做三極管測(cè)試 1#﹔b:加測(cè) 網(wǎng)卡12﹑13腳對(duì)地阻抗﹔c﹕加測(cè)pwm測(cè)試阻抗﹔
ünotes﹕電阻﹑connector上的排針﹑感﹑二極管可電測(cè)率應(yīng)盡量保持在**。
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