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吉時利2602b 美國吉時利keithley源表smu, mos 電容器
c-v 曲線 (高頻:100khz):
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – 大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度:電壓掃描率和方向 – 光效應和溫度效應。
i-v 曲線分析:
電荷建立 (測量電壓 - 時間圖,用低電流源); 氧化層電容測定; 與 c-v 曲線比較。
c-v 曲線 (準靜態)
詳細說明
吉時利keithley2600b系列源表研究領域:
各種器件的i-v功能測試和特征分析,包括:
離散和無源元件
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅動器頭、金屬氧化物可變電阻(mov)、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號雙極結型晶體管(bjt)、場效應晶體管(fet)等等
簡單ic器件——光學器件、驅動器、開關、傳感器
集成器件——小規模集成(ssi)和大規模集成(lsi)
–模擬ic
–射頻集成電路(rfic)
–專用集成電路(asic)
–片上系統(soc)器件
光電器件,例如發光二極管(led)、激光二極管、高亮度led(hbled)、垂直腔面發射激光器(vcsel)、顯示器
圓片級可靠性
- nbti、tddb、hci、電遷移
太陽能電池
電池
暫態抑制器件
ic、rfic、mmic
激光二極管、激光二極管模塊、led、光電檢測器
電路保護器件:
tvs、mov、熔絲
安全氣囊
連接器、開關、繼電器
碳納米管
半導體納米線
碳納米管 fet
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機電子
基本運放電路
二極管和電路
晶體管電路
測試:
漏流
低壓、電阻
liv
iddq
i-v特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數測試
直流電源
hipot

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