山西功率IGBT模塊品牌企業(yè) 奧聯(lián)供應(yīng)

靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大; 表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此igbt的兩個(gè)單元沒(méi)有明顯的故障. 動(dòng)態(tài)測(cè)試: 把萬(wàn)用表的檔位放在乘10k檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時(shí)黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時(shí)電阻應(yīng)為300-400歐，山西功率igbt模塊品牌企業(yè),把表筆對(duì)調(diào)也有大約300-400歐的電阻表明此igbt單元是完好的. 用同樣的方法測(cè)試1、2端子間的igbt,若符合上述的情況表明該igbt也是完好的。 將萬(wàn)用表?yè)茉趓×10kω?fù)酰煤诒砉P接igbt 的漏極(d)，紅表筆接igbt 的源極(s)，此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(g)和漏極(d)，這時(shí)igbt 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置，山西功率igbt模塊品牌企業(yè)，山西功率igbt模塊品牌企業(yè)。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(s)和柵極(g)，這時(shí)igbt 被阻 斷，萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處。此時(shí)即可判斷igbt 是好的。 注意：若進(jìn)第二次測(cè)量時(shí)，應(yīng)短接一下源極(s)和柵極(g)。 任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)igbt
在使用igbt的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則igbt就會(huì)損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10kω左右的電阻。在安裝或更換igbt模塊時(shí)，應(yīng)十分重視igbt模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，比較好在散熱器與igbt模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致igbt模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近igbt模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止igbt模塊工作。1. 一般保存igbt模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕;2. 盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合;3. 在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所igbt模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此igbt模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方;4. 保管時(shí)，須注意不要在igbt模塊上堆放重物;5. 裝igbt模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。6. 檢測(cè)igbt模塊的的辦法。
igbt(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由bjt（雙極型三極管）和mos（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；mosfet驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。igbt模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)igbt模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用igbt模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。