2MBI100U4A-120富士IGBT模塊

2mbi100u4a-120
技術(shù)參數(shù)：
• ic(a),tc=80℃ 100
•vce(sat),max(v) 2.05
•ton(us) 1.2
•toff(us) 1.0
•rth(j-c),k/w 0.23
•pc(w) 540
• 封裝 m232
• 電路結(jié)構(gòu) 半橋
性能概要：
•緊湊的封裝
目標(biāo)應(yīng)用：
• 變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)
• ac和dc伺服驅(qū)動(dòng)放大器
• 不間斷電源
• 工業(yè)機(jī)器，如電焊機(jī)
2mbi100u4a-120是igbt模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的npt-igbt的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層，這個(gè)附加層被稱為電場(chǎng)終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 pt 和 npt 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小，加上 igbt3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達(dá)175℃，運(yùn)行溫度可達(dá)200℃。低損耗，2mbi100u4a-120 igbt模塊具有低emi噪聲，高可靠性，高運(yùn)行結(jié)溫等優(yōu)點(diǎn)。主要應(yīng)用在100kw光伏逆變器，電機(jī)驅(qū)動(dòng)，電源等領(lǐng)域。
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