7812晶體管 廠家供應(yīng)

7812晶體管 廠家供應(yīng)
直流參數(shù)
1：共射直流放大系數(shù)
2：共基直流放大系數(shù)
當(dāng) 可忽略時(shí)， 。
3：間的反向電流
是**開路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流。
是基開路時(shí)，集電與**間的穿透電流， 。
同一型號(hào)的管子，反向電流愈小，性能愈穩(wěn)定。
選用管子時(shí)， 與 應(yīng)盡量小。硅管比鍺管的間反向電流小2 3個(gè)數(shù)量級(jí)，因此溫度穩(wěn)定性也比鍺管好。
交流參數(shù)——是描述晶體管對(duì)于動(dòng)態(tài)信號(hào)的性能指標(biāo)
1：共射交流電流放大系數(shù)
（ 常量）
選用管子時(shí)， 應(yīng)適中，太小則放大能力不強(qiáng)，太大則溫度穩(wěn)定性差。
2：共基交流電流放大系數(shù)
（ 常量）
在近似分析中可以認(rèn)為 ， 。
3：特征頻率
由于晶體管中pn結(jié)的結(jié)電容存在， 是所加信號(hào)頻率的函數(shù)。信號(hào)頻率高到一定程度時(shí)，集電電流與基電流之比不但數(shù)值下降，且產(chǎn)生相移。使共射電流放大系數(shù)的數(shù)值下降到1的信號(hào)頻率稱為特征頻率 。
限參數(shù)——是指為使晶體管安全工作，對(duì)它的電壓、電流和功率損耗的限制
1：較大集電耗散功率
決定于晶體管的溫升。當(dāng)硅管的溫度大于150℃、鍺管的溫度大于70℃時(shí)，管子特性明顯變壞，甚至燒壞。對(duì)于確定型號(hào)的晶體管， 常數(shù)。對(duì)于大功率管的 ，應(yīng)特別注意條件，如對(duì)散熱片的規(guī)格要求。當(dāng)散熱條件不滿足要求時(shí)，允許的較大功耗將小于 。
2：較大集電電流
在相當(dāng)大的范圍內(nèi) 值基本不變，但當(dāng) 的數(shù)值大到一定程度時(shí)， 值將減小。使 值明顯減小的 即為 。對(duì)于合金型小功率管，定義當(dāng) 時(shí)，由 得出的 即為 。
實(shí)際上，當(dāng) 時(shí)，晶體管不一定損壞，但 明顯下降。
3：間反向擊穿電壓
晶體管的某一電開路時(shí)，另外兩個(gè)電間所允許加的較高反向電壓稱為間反向擊穿電壓，過此值時(shí)，管子會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象。
是**開路時(shí)，集電—基間的反向擊穿電壓，這是集電結(jié)所允許加的較高反向電壓。
是基開路時(shí)，集電—**間的反向擊穿電壓，此時(shí)集電結(jié)承受反向電壓。
是集電開路時(shí)，**—基間的反向擊穿電壓，這是**結(jié)所允許加的較高反向電壓。
對(duì)于不同型號(hào)的管子， 為幾十伏到上千伏， ，而 只有1伏以下到幾伏。此外，集電—**間的擊穿電壓還有：b—e間，接電阻時(shí)的 ，短路時(shí)的 ，接反向電壓時(shí)的 等。
在組成晶體管電路時(shí)，應(yīng)根據(jù)需求選擇管子型號(hào)。例如用于組成音頻放大電路，則應(yīng)選低頻管；用于組成寬頻帶放大電路，則應(yīng)選高頻管或高頻管；用于組成數(shù)字電路，則應(yīng)選開關(guān)管；若管子溫升較高或反向電流要求小，則應(yīng)選用硅管；若要求b—e間導(dǎo)通電壓低，則應(yīng)選用鍺管。而且，為防止晶體管在使用中損壞，必須使之工作在安全區(qū)內(nèi)，同時(shí)b—e間的反向電壓要小于 ；對(duì)于功率管，還必須滿足散熱條件。
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